Karakteristika för diodnedbrytning

När den pålagda backspänningen överstiger ett visst värde kommer backströmmen plötsligt att öka, vilket kallas elektriskt genombrott. Den kritiska spänningen som orsakar elektriskt genombrott kallas diodens omvända genombrottsspänning. Dioden förlorar enkelriktad ledningsförmåga vid elektriskt genombrott. Om dioden inte överhettas på grund av elektriskt genombrott, kommer den enkelriktade ledningsförmågan inte nödvändigtvis att förstöras permanent, och dess prestanda kan återställas efter att den applicerade spänningen tagits bort, annars kommer dioden att skadas. Därför bör den omvända spänningen som appliceras av dioden undvikas under användning.

Enligt mekanismen kan omvänd nedbrytning delas upp i Zenernedbrytning och lavinnedbrytning. I fallet med hög dopningskoncentration, på grund av den lilla bredden på barriärområdet och den stora backspänningen, förstörs den kovalenta bindningsstrukturen i barriärområdet, valenselektronerna frigörs från den kovalenta bindningen och elektron-hålpar är genererad. , vilket resulterar i en kraftig ökning av strömmen, kallas denna fördelning Zener-nedbrytning. Om dopningskoncentrationen är låg är bredden på barriärområdet bred och Zener-nedbrytning är inte lätt att inträffa.

En annan typ av haveri är lavinhaveri. När backspänningen ökar till ett större värde, accelererar det pålagda elektriska fältet elektrondrifthastigheten, så att det kolliderar med valenselektronerna i den kovalenta bindningen, slår ut valenselektronerna ur den kovalenta bindningen och genererar nya elektron-hålpar . De nygenererade elektronhålen accelereras av det elektriska fältet och slår sedan ut andra valenselektroner, och bärarna ökar på ett lavinartat sätt, vilket resulterar i en kraftig ökning av strömmen. Detta sammanbrott kallas lavinbrott. Oavsett avbrott, om dess ström inte är begränsad, kan den orsaka permanent skada på PN-övergången.