Vilka kommunikationsmärken använder i stor utsträckning höga - slutdioder i sina enheter?

一, tekniska genombrott av internationella kommunikationsmärken
1. Huawei: Revolution av kiselkarbiddioder i 5G basstationer
Huawei har ersatt traditionella kisel - baserade enheter med kiselkarbid (SIC) Schottky -dioder i sin massiva MIMO -antennkonstruktion, vilket uppnår en betydande ökning av kraftsynteseffektiviteten. Till exempel ökar en viss modell av basstationen den enda kanalens utgångseffekt från 40W till 64W genom att matcha SIC UltraFast Recovery Diode (UFRD), och systemeffektiviteten når 48%, vilket är 6 procentenheter högre än den traditionella lösningen. Detta genombrott tillskrivs de breda bandgap -egenskaperna hos SIC -material, som har en nedbrytning av elektrisk fältstyrka 10 gånger för kisel, en 70% minskning av motståndet och en betydande minskning av växlingsförluster och termisk spridning.
I basstationens kraftmodul antar Huawei en samarbetsdesign av GaN Hemt och Sic Diode, vilket gör att effektiviteten hos 48V -kommunikationskraftförsörjningen kan överstiga 96%. Genom att optimera de omvända återhämtningsegenskaperna för dioden (QRR reduceras från 50NC till 5NC), i kombination med mikrokanalskylningsteknik, når enhetens effektdensitet 1kW/L, och diodskorsningstemperaturen förblir stabil under 85 grader, och uppfyller den höga - densitetsdedensionskraven för 5G -basstationer.
2. Ericsson: Integration av hög - Frekvensdioder i RF -front - Slut
Ericsson tillämpar i stor utsträckning Super Junction -teknikdioder i RF Front - End -moduler, vilket uppnår elektrisk fälthomogenisering genom att växla P/N -kolumner, vilket minskar ledningsspänningsfallet (VF) av 600V SIC Schottky -dioder från 1,7V till 1,1V. I Millimeter Wave Communication (24 - 100GHz) -scenarier minskar dess själv - diodstrukturdiode dioden, minskar ledningsmotståndet till 0,5 m ω · cm ² och förkortar den omvända återhämtningstiden till 5Ns, uppfyller höghastighetsbrytningskraven för 5G NR (NY RADUR.
Dessutom använder Ericsson stiftdioder med strålförpackning i satellitkommunikationsutrustning för att uppnå en svarshastighet på 0,5 ns nivå för antennomkopplingskretsar. Den här enheten minskar signalöverskridspänningen från 5V till 0,5V genom att eliminera den inkapslade induktansen (LPAR<0.5nH), significantly improving system stability.
3. Nokia: Innovativa fotodioder i optiska överföringsmoduler
Nokia använder Sako Micro SL9302 Silicon Pin Photodiode i sin 400G/800G optiska transmissionsmodul för att uppnå ett genombrott i optisk signalmottagningskänslighet. Den här enheten förbättrar responsiviteten mot 0,9A/W (@ 1550 nm) och minskar den mörka strömmen till 0,1NA genom att optimera tjockleken på I - skiktet, vilket stödjer reläfri transmission över 100 km. I sammanhängande optiska kommunikationssystem når 3DB -bandbredden för SL9302 30GHz, och uppfyller kraven i PAM4 -moduleringsformat för hög - hastighetssignaldetektering.
2, inhemsk substitutionspraxis för inhemska kommunikationsmärken
1. ZTE: Synkron rektifieringsteknologi i optiska moduler
ZTE Corporation har ersatt traditionella dioder med inhemskt producerade n - typ MOSFETS i sin 5G -front - slutoptiska moduler, vilket uppnår ett språng i synkron korrigeringseffektivitet. Till exempel justerar dess 25G -optiska modul dynamiskt MOSFET -ledningsvinkeln, vilket ökar kraftomvandlingseffektiviteten från 85% till 94% och sparar upp till 1,2 miljoner kWh el per modul per år. Denna teknik minskar kraftförbrukningen med 60% genom att eliminera den fasta spänningsfallet (VF ≈ 0,7V) av dioden, samtidigt som svårigheten med termisk design minskar.
Inom basstationens kraftförsörjning har ZTE samarbetat med Suzhou Gude för att utveckla Sic SBD -likriktaredioder, vilket minskar den främre spänningsfallet (VF =0.3 V) med 80% jämfört med traditionella snabba återhämtningsdioder och kortsvaras den omvända återhämtningstiden (TRR =10} N) med 70%. Enheten förblir stabil inom temperaturintervallet -40 grader till +125 grad, och uppfyller de stränga tillförlitlighetsstandarderna för kommunikationsutrustning.
2. Fiberhome -kommunikation: TV -diodskydd i datacenter
Fiberhome Communications använder Littelfuse enkelriktade TV -dioder (såsom SMAJ5.0A) i sina datacenteromkopplare för att uppnå elektrostatiskt skydd för 10/1000Base - T Ethernet -portar. Genom att optimera PN-korsningsstrukturen förkortas responstiden för denna enhet till 1PS, klämspänningsnoggrannheten styrs till ± 5%, och den tål 30 kV luftutsläpp och 15kV kontaktutsläpp, uppfyller IEC 61000-4-5-standarden.
I 400G -datacenter optisk modul samarbetade fiberhalt med Vishay för att utveckla en låg parasitkondens -TV -apparater (CJ =0.5 PF), vilket reducerar signaldämpning till under 0,1dB och stöder förlustfri överföring av PAM4 -signaler. Den här enheten minskar PCB -utrymmet med 60% genom att anta ytmontering (SMD) -förpackning, som uppfyller den höga - Densitetsdistributionskraven för datacenter.
3. Jingxin Kommunikation: Val av hög - Frekvensdioder i små basstationer
Jingxin -kommunikation använder i stor utsträckning hög - Frekvensdioder såsom 1N4148 och SS14 för att uppnå signaldetektering och korrigering i dess 5G små basstationer. Till exempel uppnår 1N4148 -40dBm känslighetsdetektering i 2,4 GHz Wi Fi 6E -frekvensband med sin 8NS omvänd återhämtningstid och 4PF -övergångskapacitans; SS14 Schottky -dioden har en framåtspänningsfall på 0,3V och en omvänd spänningsfall på 40V, som möter lågspänning och högströmförsörjningsbehov för små basstationer.
I Millimeter Wave Small Base-stationer har Jingxin introducerat BAP64-03 RF-dioder. Genom att optimera tjockleken på det epitaxiella skiktet styrs införandet av 10 Gbps -signaler inom 0,5 dB, och fasbruset reduceras till -160dBC/Hz, vilket uppfyller de strikta kraven för 5G NR för RF -prestanda.